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四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65

四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65

氮化镓化学式为GaN,由人工合成的半导体材料,是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成,相关器件快速... 继续阅读 »