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FISO的GaAs技术简介

FISO光纤温度探头用于医疗应用基于白光被镓吸收/透射的原理(砷化镓半导体)。温度变化的影响在这个半导体上是众所周知的和可预测的。随着半导体的温度升高,半导体的透射光谱(即没有被吸收的光)发生移动更高的波长。在任何给定温度下,传输本质上从0%跳到100%在一个特定的波长。这跳跃称为吸收位移,与a之间的关系特定的波长-吸收发生位移的地方和因此温度是可以预测的。

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为什么会发生这种转变?对此的物理解释现象是在发生的变化中发现半导体的能带隙。这个“间隙”指的是能量需要将材料中的电子碰撞到激发态(相对于放松、稳定的状态)。随着更多的能量进入半导体以热的形式随着其温度的升高,间隙增大变得更窄—这意味着需要更少的额外能量激发一个电子。光子(光的粒子)进入半导体是激发电子的物质。如果一个光子能携带足够的能量让电子穿过缝隙将吸收。如果它不能携带足够的能量,那么它就会传播。光子的波长越短,能量就越多它携带。由于带隙会随着半导体的带隙变窄温度升高,跳跃所需的能量就会减少而这个间隙,光子的能量越来越少(越长越好)就像人们说的那样,波长较长的(短波长)会被“光带”吸收。因此,测量吸收位移的位置得到半导体温度的测量。值得注意的是这项技术依赖于波长,而不是强度相关的。

光纤温度传感器

FISO的温度探头是基于直接接触的温度测量。传统的温度传感器当热电偶和RTDs(电阻温度器件)工作时基于同样的原则。换句话说,半导体材料必须接触到被测物体或浸没在被测液体或气体中才能给出读数。越亲密触点越小,传感头的热质量越小半导体对温度变化的反应速度更快。进一步的步骤是能够将光传送到半导体测量吸收了什么。这就是。的函数光学纤维。

一个微小的砷化镓半导体被连接到抛光的一端光学纤维。在半导体的一侧是反射电介质安装薄膜(不导电的材料)。所有的材料具有这种特性(“高介电强度”),即FISO的传感器技术的主要优势之一超过传统的温度是用导线来传递电信号的。光纤的长度上覆盖着一层保护鞘(由尼龙、聚酰亚胺或聚四氟乙烯制成),具有很强的耐腐蚀性处理和化学环境。整个远端组装(半导体和光纤的末端)然后嵌入保护传感器的生物相容性粘合剂(半导体)避免化学和机械攻击。

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吸收位移的计算不依赖于信号强度对于这种特殊的技艺来说,不过是波长的光线是有趣的。因此,促成的各种因素光纤的衰减(光纤长度、数量和质量)对连接、纤维直径和组成、弯曲等的影响)不要对系统施加任何严重的限制。FISO的方法提供可靠的,可重复的温度测量没有可能由于连接器或电源丢失而导致的错误光纤有明显的弯曲。

转载请注明出处:传感器应用_仪表仪器应用_智能硬件产品 – 工采资讯 http://news.isweek.cn/16026.html

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