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四川美阔推出:65W-1A2C接口氮化镓(GaN)PD快充电源方案

65W快充是目前快充市场出货的主流规格;氮化镓具有高可靠性,能够承受短时间过压;将GaN用于充电器的整流管后,能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生,进而减小元器件的体积同时能提高效率。

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图片来源:无版权可商用图库 - Pixabay

近期美阔电子推出了一款全新的氮化镓65W(1A2C)PD快充充电器方案,该方案采用同系列控制单晶片:QR一次侧控制IC驱动MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到适优匹配。

1A2C-65W氮化镓(GaN)快充方案,快充方案支持90~264V宽输入电压,输出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A,内置MGZ31N65-650V氮化镓开关管;采用PD3.0协议IC。

该方案能够有效降低寄生参数对高频开关的影响,获得更高的转换效率和更优秀的可靠性;实现“更高效率,更大功率,更小体积,更低发热。”采用了智能温控技术做到了“大功率下更小体积、更好温控”支持多种充电模式,对不同的设备功率略有不同,USB-C接口实际较大输出功率为65W。

一、方案概述:

尺寸设计:60mm*60mm*30mm

输出规格:5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A

输入电压:90-264 Vac @ 60/50Hz

输出接口:USB-PD C型式,A型式

低待机功耗:空载损耗低于50mW

高效率:输出20V重载时可达91.62%效率及功率密度可达1.5W/cm3

供电范围:二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC

、优势:

返驰式谷底侦测减少开关损失

轻载Burst Mode增加效率

较佳效能可达91%

空载损耗低于50mW

控制IC可支持频率高达160 kHz

系统频率有Jitter降低EMI干扰

控制IC可直接驱动GaN

进阶保护功能如下:

(1) VDD过电压及欠电压保护

(2) 导通时较大峰值电流保护

(3) 输出过电压保护

(4) 输出短路保护

可输出65W功率

MGZ31N65

GaN/氮化镓MGZ31N65的特性:650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V;非常低的QRR;减少交叉损失;符合RoHS标准和无卤素要求的包装。支持2MHz开关频率,采用8*8mm QFN封装,节省面积。

MGZ31N65芯片内部集成650V耐压,250mΩ导阻的氮化镓开关管;内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路;支持输出过压保护,支持变压器磁饱和保护,支持芯片供电过压保护,支持过载保护,支持输出电压过压保护,支持片内过热保护,支持电流取样电阻开路保护,具有低启动电流。

GaN/氮化镓作为第三代半导体材料经常被用在PD快充里面;氮化镓(GaN)拥有极高的稳定性,将GaN用于充电器的整流管后,能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生,进而减小元器件的体积同时能提高效率。

四川美阔在GaN/氮化镓领域颇有建树,技术以及产品方面已经很完善,如果想了解更多GaN/氮化镓的技术资料,请登录工采网官网进行咨询。

转载请注明出处:传感器应用_仪表仪器应用_智能硬件产品 – 工采资讯 http://news.isweek.cn/31338.html

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