本电源模块是65W单一C界面，其输出电压由协议IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等电压输出，使用QR/DCM反驰式电路架构于输出20V重载时可达93%效率及功率密度可达1.5W/cm3，本系统采用同系列控制单晶片：QR一次侧控制IC驱动MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到较佳匹配。
PCB 布局图:
图片来源：由供应商提供
GaN/氮化镓作为第三代半导体材料经常被用在PD快充里面；氮化镓（GaN）拥有极高的稳定性，将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率。
EMI滤波器(EMI小板) :
为了符合CISPR22B/EN55022的标准，需设计合适的滤波电路，例如共模电感(LM1/LM2)、X电容(CX1)、Y电容(CY1)、滤波电感(L1)且配合电流较佳回路达到较好的EMI效果，EMI小板设计主要是降低电磁干扰。
USB PD3.0 (协议小板) :
协议小板主要是采用协议芯片SC2151A设计，其由受电端发出电压需求给协议IC后，控制主板改变输出电压，本协议必需符合 PD3.0之协议。
本协议芯片支持
-支援 DFP / UFP / DRP USB PD 3.0
-内键PD 3.0协议
本报告内容包括65W1C电气规格、线路图、BOM、主变压器设计参数、线路布局，是效能量测及EMI测试结果。
优势:
返驰式谷底侦测减少开关损失
轻载Burst Mode增加效率
较佳效能可达93%
空载损耗低于50mW
控制IC可支持频率高达160 kHz
系统频率有Jitter降低EMI干扰
控制IC可直接驱动GaN
进阶保护功能如下：
(1) VDD过电压及欠电压保护
(2) 导通时较大峰值电流保护
(3) 输出过电压保护
(4) 输出短路保护
可输出65W功率
该快充电源广泛应用于：电源适配器、LED照明驱动器、LCD显示器电源、带充电界面排插等领域。
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