现如今支持PD快充协议的移动设备越来越多；而GaN氮化镓技术的出现，则让充电头在保持大功率输出的同时体积也有了显著的改善，无论是出行携带还是日常使用都十分合适。本文内容由工采网代理的GaN/氮化镓 - MGZ31N65测试PD-65W1C快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN报告
本报告内容包括65W1C电气规格、线路图、BOM、主变压器设计参数、线路布局，后面是效能量测及EMI测试结果。
GaN/氮化镓 - MGZ31N65内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路，170mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用8*8mm QFN封装，节省面积。
1、650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
2、非常低的QRR
3、减少交叉损失
4、符合RoHS标准和无卤素要求的包装
本电源模组是65W单一C介面，其输出电压由协议IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等电压输出，使用QR/DCM反驰式电路架构于输出20V重载时可达93%效率及功率密度可达1.5W/cm3，本系统采用同系列控制单晶片：QR 一 次侧控制IC驱动MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到良好匹配。
为了符合CISPR22B/EN55022的标準，需设计合适的滤波电路，例如共模电感(LM1/LM2)、X电容(CX1)、Y电容(CY1)、滤波电感(L1)且配合电流回路达到好的EMI效果，EMI小板设计主要是降低电磁干扰。
USB PD3.0 (协议小板)
协议小板主要是采用协议晶片SC2151A设计，其由受电端发出电压需求给协议IC后，控制主板改变输出电压，本协议必需符合 PD3.0之协议。
本协议晶片支持：
1、支援 DFP / UFP / DRP USB PD 3.0
2、内键PD 3.0协议
采用GaN/氮化镓 - MTC-65W1CMGZ31N65的优势：
★返驰式穀底侦测减少开关损失
★轻载Burst Mode增加效率
★效能可达93%
★空载损耗低于50mW
★控制IC可支持频率高达160 kHz
★系统频率有Jitter降低EMI干扰
★控制IC可直接驱动GaN
★进阶保护功能如下：
(1) VDD过电压及欠电压保护
(2) 导通时峰值电流保护
(3) 输出过电压保护
(4) 输出短路保护
★可输出65W功率
可应用市场：电源适配器、LED照明驱动器、LCD显示器电源、带充电介面排槽
主要电气规格：（测试温度：环温25°C）
输出电压：
应用电路图：
輻射EMI量測 (CISPR22 Class B/EN55022)：Horizontal/Vertical
目前市面上大部分的氮化镓充电器的充电功率主要集中在65W功率段，而1C1A双USB接口的配置也是符合当前大部分用户的使用习惯，也被称为万金油接口，一个接口充笔电一个充手机。65W氮化镓可以解决包括MacBook Pro等绝大多数办公本的用电需求，1C1A双充电接口可以同时为笔电和手机进行充电，而且均为快充。
由于普遍应用程序的耗电速度加快，使得快充需求越发紧张，在电池能耗难于根本解决的情况下，对于电池充电的效率要求就越大，而目前较为合适的大功率充电器方案，当属GaN氮化镓充电器方案。
氮化镓充电器方案当中又数65w氮化镓充电器1A1C输出pd快充方案的需求更急迫。由工采网代理台湾美禄推出的一款基于GaN氮化镓MGZ31N65能够快速部署65w氮化镓充电器产品，适合做1A1C或者单C输出的65w氮化镓充电器方案。
台湾美禄在GaN／氮化镓领域颇有建树，技术以及产品方面已经很完善，如果想了解更多GaN／氮化镓的技术资料，欢迎联系。
转载请注明出处：传感器应用_仪表仪器应用_智能硬件产品 – 工采资讯 http://news.isweek.cn/25735.html
