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采用先进的沟槽制造工艺与设计的P沟道MOS管-DO3401B

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年少有为 功率半导体,技术资料 2026-08-18 13:39 0 436

P沟道MOS晶体管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，属于电路元件类别，其结构以n型硅衬底为基础，通过两个P+掺杂区分别构成源极和漏极。当栅极施加足够正电压时，... 继续阅读 »

可在低栅极电荷条件下实现优异导通电阻（RDS）的P沟道MOSFET-DE020PG

可在低栅极电荷条件下实现优异导通电阻（RDS）的P沟道MOSFET-DE020PG

年少有为 功率半导体,技术资料 2026-06-24 13:39 可在低栅极电荷条件下实现优异导通电阻（RDS）的P沟道MOSFET-DE020PG已关闭评论 733

P沟道MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种重要的场效应晶体管（FET）类型，它在集成电路和电子器件中具有广泛的应用。本文将介绍P... 继续阅读 »