功率半导体
采用砷化铝镓红外发光二极管作为发光源的光电耦合器-ICPL-227
光电耦合器通过“电—光—电”转换实现信号传输，核心是利用光媒介在输入与输出电路间建立电气隔离。 输入端电信号驱动发光源发光，光信号穿过绝缘层被受光器接收并还原... 继续阅读 »
专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S
相比P沟道，N沟道有几个硬优势：导通电阻更低，意味着同样电流下发热更少、效率更高 。而且载流子是电子，迁移速度快，开关损耗也小 。另外，N沟道器件更容易制... 继续阅读 »
可实现极低的导通电阻和栅极电荷的N型550V功率MOSFET-SSx55R160F
功率MOSFET是靠电压控制开关的器件，栅极加电压形成沟道让电流通过，不加电压就关断，就像用水龙头控制水流一样。栅极和源极之间加电压UGS，当UGS超过阈... 继续阅读 »
应用在电机驱动器中的40V电压、N沟道增强型MOS管-LN042N040Q
电机驱动器就是把控制信号变成电机动力的“翻译官”，核心是靠开关器件放大功率来驱动电机转动。 电机驱动器的核心是完成直流电与交流电的双向转换，支撑车辆驱动与能量... 继续阅读 »
可在低栅极电荷条件下实现优异导通电阻（RDS）的P沟道MOSFET-DE020PG
P沟道MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种重要的场效应晶体管（FET）类型，它在集成电路和电子器件中具有广泛的应用。本文将介绍P... 继续阅读 »
一款具备100V电压的N沟道增强型MOSFET-LN007N100CT
N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）作为... 继续阅读 »
一款3A、5.4Ω、1500V和MOSFET的光电耦合器-3N150
光电耦合元件(Opto-isolator,或optical coupler，缩写为OC），亦称光耦合器或光隔离器以及光电隔离器，简称光耦。光电耦合元件是以光作为... 继续阅读 »
应用在电源和电池组中过电流保护的F12Fx系列贴片保险丝
过电流保护（Over Current Protection）就是当电流超过预定最大值时，使保护装置动作的一种保护方式。当流过被保护原件中的电流超过预先整定的某个... 继续阅读 »
应用在小家电断电开关中的自恢复保险丝-ASML0402
断电开关，作为电气系统的关键组件，其运作机制及作用至关重要。它主要由电动机构、触头和释放机构构成，通过电磁力控制触头的开合，实现电路的通断。在电路正常运行时，断... 继续阅读 »
专为USB3.1Gen2设计的低电阻自恢复保险丝-Low Loss NSML1505
USB 3.1 Gen2是一种USB规范，数据传输速度提升可至速度10Gbps。与USB 3.0（即USB 3.1 Gen1）技术相比，新USB技术使用一个更高... 继续阅读 »
用于电路保护领域的低电阻贴片自恢复保险丝（PPTC）-LSMD2920
工采网代理的LSMD2920是一款自恢复保险丝，主要用于电路保护领域。该产品具备出色的过流保护能力，并能在故障排除后自动恢复，无需更换元件，从而显著降低维护成本... 继续阅读 »
