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可实现极低的导通电阻和栅极电荷的N型550V功率MOSFET-SSx55R160F

可实现极低的导通电阻和栅极电荷的N型550V功率MOSFET-SSx55R160F

年少有为 功率半导体,技术资料 2026-07-22 13:40 0 665

功率MOSFET是靠电压控制开关的器件‌，栅极加电压形成沟道让电流通过，不加电压就关断，就像用水龙头控制水流一样。‌‌栅极和源极之间加电压UGS，当UGS超过阈... 继续阅读 »