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标签: N沟道MOS管
采用先进的SGT单元设计、符合RoHS标准的N沟道MOS管-LN050N100G
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场效应晶体管 (FET)是一种具有四个端子（栅极、源极、漏极和基板）的半导体器件。FET是一种单极器件，因为电流由一种类型的电荷载流子（电子或空穴）产生，具体取... 继续阅读 »
专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S
专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S已关闭评论
相比P沟道，N沟道有几个硬优势：导通电阻更低，意味着同样电流下发热更少、效率更高 。而且载流子是电子，迁移速度快，开关损耗也小 。另外，N沟道器件更容易制... 继续阅读 »
应用在电机驱动器中的40V电压、N沟道增强型MOS管-LN042N040Q
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电机驱动器就是把控制信号变成电机动力的“翻译官”，核心是靠开关器件放大功率来驱动电机转动。 电机驱动器的核心是完成直流电与交流电的双向转换，支撑车辆驱动与能量... 继续阅读 »
一款具备100V电压的N沟道增强型MOSFET-LN007N100CT
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N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）作为... 继续阅读 »
N沟道-MOS管产品系列-推荐型号参数及应用指南
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N沟道MOSFET是一种电压控制型功率开关器件，当栅极电压高于源极时，在P型衬底表面形成N型导电沟道，电子在源漏之间流动，由于电子迁移率远高于空穴，N沟道MOS... 继续阅读 »
