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可实现优异RDS(ON)值及低栅极电荷特性的N沟道MOS管-DOP3205
N沟道MOS管是一种利用电压控制电流通断的半导体开关器件,核心特点是栅极加正电压导通,广泛用于电源管理和电机驱动等电路。N沟道MOS管的内部结构是在... 继续阅读 »
应用在无人机领域中的30V电压N沟道MOSFET管-LNT029N030G
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N沟MOS晶体管是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)的一种,结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之... 继续阅读 »
采用先进的SGT单元设计、符合RoHS标准的N沟道MOS管-LN050N100G
采用先进的SGT单元设计、符合RoHS标准的N沟道MOS管-LN050N100G已关闭评论
场效应晶体管 (FET)是一种具有四个端子(栅极、源极、漏极和基板)的半导体器件。FET是一种单极器件,因为电流由一种类型的电荷载流子(电子或空穴)产生,具体取... 继续阅读 »
专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S
专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S已关闭评论
相比P沟道,N沟道有几个硬优势:导通电阻更低,意味着同样电流下发热更少、效率更高 。而且载流子是电子,迁移速度快,开关损耗也小 。另外,N沟道器件更容易制... 继续阅读 »
应用在电机驱动器中的40V电压、N沟道增强型MOS管-LN042N040Q
应用在电机驱动器中的40V电压、N沟道增强型MOS管-LN042N040Q已关闭评论
电机驱动器就是把控制信号变成电机动力的“翻译官”,核心是靠开关器件放大功率来驱动电机转动。 电机驱动器的核心是完成直流电与交流电的双向转换,支撑车辆驱动与能量... 继续阅读 »
一款具备100V电压的N沟道增强型MOSFET-LN007N100CT
一款具备100V电压的N沟道增强型MOSFET-LN007N100CT已关闭评论
N沟道增强型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)作为... 继续阅读 »
N沟道-MOS管产品系列-推荐型号参数及应用指南
N沟道-MOS管产品系列-推荐型号参数及应用指南已关闭评论
N沟道MOSFET是一种电压控制型功率开关器件,当栅极电压高于源极时,在P型衬底表面形成N型导电沟道,电子在源漏之间流动,由于电子迁移率远高于空穴,N沟道MOS... 继续阅读 »











