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采用先进的SGT单元设计、符合RoHS标准的N沟道MOS管-LN050N100G
场效应晶体管 (FET)是一种具有四个端子（栅极、源极、漏极和基板）的半导体器件。FET是一种单极器件，因为电流由一种类型的电荷载流子（电子或空穴）产生，具体取... 继续阅读 »
专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S
专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S已关闭评论
相比P沟道，N沟道有几个硬优势：导通电阻更低，意味着同样电流下发热更少、效率更高 。而且载流子是电子，迁移速度快，开关损耗也小 。另外，N沟道器件更容易制... 继续阅读 »
应用在电机驱动器中的40V电压、N沟道增强型MOS管-LN042N040Q
应用在电机驱动器中的40V电压、N沟道增强型MOS管-LN042N040Q已关闭评论
电机驱动器就是把控制信号变成电机动力的“翻译官”，核心是靠开关器件放大功率来驱动电机转动。 电机驱动器的核心是完成直流电与交流电的双向转换，支撑车辆驱动与能量... 继续阅读 »
可在低栅极电荷条件下实现优异导通电阻（RDS）的P沟道MOSFET-DE020PG
可在低栅极电荷条件下实现优异导通电阻（RDS）的P沟道MOSFET-DE020PG已关闭评论
P沟道MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种重要的场效应晶体管（FET）类型，它在集成电路和电子器件中具有广泛的应用。本文将介绍P... 继续阅读 »
