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专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET‌-DH090NG-S

专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET‌-DH090NG-S

年少有为 功率半导体,技术资料 2026-07-29 14:09 0 337

相比P沟道，N沟道有几个硬优势：‌导通电阻更低‌，意味着同样电流下发热更少、效率更高 。而且载流子是电子，迁移速度快，开关损耗也小 。另外，N沟道器件‌更容易制... 继续阅读 »