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采用先进的SGT单元设计、符合RoHS标准的N沟道MOS管-LN050N100G
场效应晶体管 (FET)是一种具有四个端子（栅极、源极、漏极和基板）的半导体器件。FET是一种单极器件，因为电流由一种类型的电荷载流子（电子或空穴）产生，具体取... 继续阅读 »
专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S
专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S已关闭评论
相比P沟道，N沟道有几个硬优势：导通电阻更低，意味着同样电流下发热更少、效率更高 。而且载流子是电子，迁移速度快，开关损耗也小 。另外，N沟道器件更容易制... 继续阅读 »
