IGBT的栅极电压可通过不同的驱动电路来产生。这些驱动电路设计的优劣对IGBT构成的系统长期运行可靠性产生直接影响。为了确保IGBT的完全饱和以及较小化通态损耗，同时还要限制短路电流和功率应力，正向栅极电压必须控制在适当范围内。
此外，IGBT的正栅压VGE与其导通电阻和损耗密切相关。VGE越大，导通电阻越低，从而损耗越小。然而，过大的VGE可能导致IGBT在过流时出现内部寄生晶闸管的静态擎柱效应，进而导致器件失效。相反，如果VGE过小，IGBT的工作点可能进入线性放大区，最终因过热而损坏。因此，开通时的栅极驱动电压应维持在12至20V之间。
在IGBT处于断态时，其栅极电压为零。由于IGBT的关断过程中可能承受高dv/dt，伴随产生关断浪涌电流，这可能干扰栅极关断电压并导致误开通。为了避免这种情况，必须在栅极上施加一个反向关断偏压，以保持IGBT在集电极-发射极电压上出现dv/dt噪声时的关断状态。此外，采用反向偏压还有助于减少关断损耗。理想情况下，反向偏压应在-5至-15V之间。
光电耦合器主要由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。光的发射部分主要由发光器件构成，发光器件一般都是发光二极管，发光二极管加上正向电压时，能将电能转化为光能而发光，发光二极管可以用直流、交流、脉冲等电源驱动，但发光二极管在使用时必须加正向电压。光的接收部分主要由光敏器件构成，光敏器件一般都是光敏晶体管，光敏晶体管是利用PN结在施加反向电压时，在光线照射下反向电阻由大变小的原理来工作的。
在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现了电一光一电的转换。
工采网代理的光耦合器 - ICPL-155E由砷化镓红外发光二极管和集成的高增益、高速光电探测器组成。该器件采用SOP5封装。光电探测器内部配备有法拉第屏蔽，确保了±20 kV/us的共模瞬态抗扰度。ICPL-155E适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。
引脚配置和真值表：
光耦 - ICPL-155E的特性：
工作温度范围：-40℃~+105℃
较大传播延迟为200纳秒
共模瞬态抗扰度：±20kV/us（较小值）
传播延迟偏斜：±85纳秒（较大值）
绝缘电压：3750 Vrms（较小值）
监管批准（待批准）
-UL-UL1577
-VDE-EN60747-5-5 VDE0884-5
-CQC - GB4943.1
光电耦合器 - ICPL-155E的应用：
等离子显示器（PDPs）
晶体管逆变器
MOSFET栅极驱动器
IGBT门驱动器
安芯微在国产光耦合器领域颇有建树，技术以及产品方面已经很完善，如果想了解更多光耦合器的技术资料，请登录工采网官网进行咨询。
转载请注明出处：传感器应用_仪表仪器应用_电子元器件产品 – 工采资讯 http://news.isweek.cn/41603.html
